Содержание
Слово «транзистор» является комбинацией слов «передача» и «варистор». Термин описывает, как эти устройства работали в первые дни. Транзисторы являются основными строительными блоками электроники, почти так же, как ДНК является строительным блоком генома человека. Они классифицируются как полупроводниковые и бывают двух основных типов: транзистор с биполярным переходом (BJT) и полевой транзистор (FET). Первый является центром этой дискуссии.
Типы биполярных переходных транзисторов
Существует два основных типа соглашений BJT: NPN и PNP. Эти обозначения относятся к полупроводниковым материалам P-типа (положительный) и N-типа (отрицательный), из которых изготовлены компоненты. Поэтому все BJT включают в себя два PN-перехода в некотором порядке. Устройство NPN, как следует из названия, имеет одну P-область, расположенную между двумя N-областями. Два перехода в диодах могут быть смещены в прямом или обратном направлении.
В результате такого расположения получается всего три соединительных терминала, каждому из которых присваивается имя, определяющее его функцию. Они называются излучателем (E), основанием (B) и коллектором (C). С NPN-транзистором коллектор соединен с одной из N частей, основание с P-частью в середине, а E с другой N-частью. Сегмент P слегка легирован, а N-сегмент на конце эмиттера сильно легирован. Важно отметить, что две N части в NPN-транзисторе не могут быть взаимозаменяемы, поскольку их геометрия совершенно различна. Это может помочь представить устройство NPN как бутерброд с арахисовым маслом, но с одним из кусочков хлеба, являющимся конечной частью, а другим - с середины буханки, что делает расположение несколько асимметричным.
Общие характеристики эмиттера
Транзистор NPN может иметь либо общую базу (CB), либо конфигурацию с общим эмиттером (CE), каждый из которых имеет свои собственные входы и выходы. В общей конфигурации эмиттера отдельные входные напряжения прикладываются к части P от основания (VБЫТЬ) и коллектор (VCE), Напряжение VЕ затем покидает эмиттер и входит в цепь, компонентом которой является NPN-транзистор. Название «общий эмиттер» коренится в том факте, что часть E транзистора объединяет отдельные напряжения от части B, а часть C излучает их как одно общее напряжение.
Алгебраически значения тока и напряжения в этой настройке связаны следующим образом:
Вход: яВ = Я0 (еVBT/ V,T - 1)
Выход: яс = βIВ
Где β - это константа, связанная с собственными свойствами транзистора.