Содержание
- TL; DR (слишком долго; не читал)
- Обзор MOSFET и BJT
- Биполярный переходной транзистор (BJT)
- Полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник (MOSFET)
- Преимущества МОП-транзистора
С 1948 года транзисторы используются в электронике. Изначально изготовленные из германия, современные транзисторы используют кремний для его более высокой теплостойкости. Транзисторы усиливают и переключают сигналы. Они могут быть аналоговыми или цифровыми. На сегодняшний день два распространенных транзистора включают полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник (MOSFET) и биполярные переходные транзисторы (BJT). MOSFET предлагает ряд преимуществ по сравнению с BJT.
TL; DR (слишком долго; не читал)
Транзисторы, используемые для усиления и переключения сигналов, ознаменовали эру современной электроники. В настоящее время используются два основных транзистора: транзисторы с биполярным переходом или BJT и полевые транзисторы с металл-оксид-полупроводниковым эффектом или MOSFET. MOSFET предлагает преимущества перед BJT в современной электронике и компьютерах, поскольку эти транзисторы более совместимы с технологией обработки кремния.
Обзор MOSFET и BJT
MOSFET и BJT представляют два основных типа транзисторов, используемых сегодня. Транзисторы состоят из трех контактов, называемых эмиттером, коллектором и основанием. Основа управляет электрическим током, коллектор управляет потоком базового тока, а эмиттер - там, где течет ток. Как MOSFET, так и BJT, как правило, изготавливаются из кремния, а меньший процент - из арсенида галлия. Они оба могут работать как преобразователи для электрохимических датчиков.
Биполярный переходной транзистор (BJT)
BJT (биполярный переходный транзистор) объединяет два диодных перехода из полупроводника p-типа между полупроводниками n-типа или из слоя полупроводника n-типа между двумя полупроводниками p-типа. BJT - это устройство с управлением по току с базовой цепью, по существу, усилитель тока. В BJT ток проходит через транзистор через отверстия или связывание вакансий с положительной полярностью и электронов с отрицательной полярностью. BJT используются во многих приложениях, включая аналоговые и мощные схемы. Это был первый серийный тип транзисторов.
Полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник (MOSFET)
MOSFET - это тип полевого транзистора, который используется в цифровых интегральных схемах, таких как микрокомпьютеры. МОП-транзистор представляет собой устройство с управлением по напряжению. Он имеет клемму затвора, а не основание, отделенное от других клемм оксидной пленкой. Этот оксидный слой служит изолятором. Вместо излучателя и коллектора, МОП-транзистор имеет источник и сток. MOSFET отличается высокой стойкостью к воротам. Напряжение затвора определяет, включается или выключается MOSFET. Время переключения происходит между режимами включения и выключения.
Преимущества МОП-транзистора
Полевые транзисторы, такие как MOSFET, использовались десятилетиями. Они включают в себя наиболее часто используемые транзисторы, которые в настоящее время доминируют на рынке интегральных микросхем. Они портативны, потребляют мало энергии, не потребляют ток и совместимы с технологией обработки кремния. Их отсутствие тока затвора приводит к высокому входному сопротивлению. Еще одним важным преимуществом MOSFET перед BJT является то, что он составляет основу схемы с переключателями аналоговых сигналов. Они полезны в системах сбора данных и позволяют вводить несколько данных. Их способность переключения между различными резисторами способствует коэффициенту затухания или изменению коэффициента усиления операционных усилителей. МОП-транзисторы составляют основу полупроводниковых запоминающих устройств, таких как микропроцессоры.