Структура из цинковой обманки или сфалерита очень напоминает структуру алмаза. Однако цинковая обманка отличается от алмаза тем, что она состоит из двух разных типов атомов, в то время как алмазные структуры связаны с отдельными элементами. Элементарная ячейка цинковой обманки является кубической и описывается параметром решетки или длиной стороны ячейки. Элементарная ячейка из цинковой обманки может быть визуализирована как две перекрывающиеся, центрированные по центру элементарные ячейки, слегка смещенные относительно друг друга. Атомы в структуре цинковой обманки плотно упакованы вместе, так что вы можете связать параметр решетки с размером атомов в элементарной ячейке.
Посмотрите атомные радиусы двух элементов, которые кристаллизуются в структуре цинковой обманки, в периодической таблице или справочнике по химическим веществам. Обратите внимание, что атомные радиусы иногда обозначаются как «ковалентная связь» или «ионные радиусы» и что радиус для элемента может отличаться при сравнении периодических таблиц, поскольку значение радиуса зависит от метода, используемого для его измерения или расчета. Представьте атомный радиус одного из элементов с R1 и другого с R2. Например, при расчете параметра решетки GaAs, структурированного полупроводника на основе цинка, найдите атомный радиус Ga (R1 = 0,126 нм) и As (0,120 нм).
Добавьте атомные радиусы, чтобы получить объединенный радиус: R1 + R2. Например, при определении параметра решетки GaAs добавьте атомные радиусы Ga и As. Объединенный радиус составляет 0,246 нм = 0,126 нм + 0,120 нм = R1 + R2.
Рассчитайте параметр решетки цинковой обманки (a) по формуле: a = (4/3 ^ (1/2)) x (объединенный радиус). Например, параметр решетки GaAs равен: a = 0,568 нм = (4/3 ^ (1/2)) x (0,126 нм + 0,120 нм) = (4/3 ^ (1/2)) x (R1 + R2).